英飞凌二极管DD31N12，DD31N16，DD55N12，DD55N16，DD76N12

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快恢复、超快恢复二极管的结构特点

　　快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 英飞凌二极管模块：
DD31N12
DD31N16
DD55N12
DD55N16
DD76N12
DD76N16
DD89N08
DD89N12
DD89N14
DD89N16
DD90N12
DD90N16
DD104N12
DD104N14
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DD106N12
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DD106N16
DD151N12
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DD151N16
DD171N12
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DD230N12
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DD231N12
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DD260N12
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DD260N16
DD261N12
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DD285N80
DD350N12
DD350N14
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DD350N18
DD435N12
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DD600N12
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ND89N12
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ND104N12
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